Martin Hoheisel Erlangen |
Amorphes Silizium (a-Si) | ||
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Amorphes Silizium ist ein Halbleiter, der seit den 70-er Jahren vermehrt erforscht und auf zahlreichen Konferenzen weltweit diskutiert wird. Es handelt sich dabei um elementares Silizium, das nicht in einer geordneten Kristallstruktur gewachsen ist, sondern bei dem die Atome mehr oder weniger ungeordnet vernetzt sind. Dieses amorphe Netzwerk hat zur Folge, daß die amorphen Halbleiter zwar Halbleitereigenschaften aufweisen, aber sich doch in einigen Punkten anders als kristalline Halbleiter verhalten. So ist beim amorphen Silizium die optische Absorption viel höher, die Beweglichkeit der Ladungsträger dagegen viel geringer als beim kristallinen Silizium. Der wichtigste amorphe Halbleiter ist das amorphe, wasserstoffhaltige Silizium (a-Si:H), das nach verschiedenen Verfahren hergestellt werden kann. Ähnlich könne auch andere amorphe Halbleiter aus der IV. Gruppe des Periodensystems abgeschieden werden. Der Vorteil der amorphen Halbleiter besteht darin, daß Legierungen mit beliebigen Zusammensetzungen sehr einfach hergestellt werden können. Daneben gibt es amorphe Halbleiter ohne Wasserstoff, aus der VI. Gruppe (Chalkogenide) und andere. Zur Herstellung von Bauelementen aus a-Si:H werden die gängigen Dünnschicht-Technologien eingesetzt, die weitgehend kompatibel zu den Prozessen bei den kristallinen Halbleitern sind. Allerdings sind bei a-Si:H wesentliche größere Substrate möglich, die auch aus verschiedenen Materialien bestehen können. Aus a-Si:H können nun einfache Funktionselemente wie Halbleiterschichten, Widerstände, Dioden oder Transistoren hergestellt werden. Aus diesen werden dann komplexere Bauelemente aufgebaut.
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Letzte Änderung 27.5.2010 © M.Hoheisel |