Erlangen
|
|
|
| 1969 | Chittik, Alexander, Sterling | stellen erstmals amorphes, wasserstoffhaltiges Silizium (a-Si:H) mit plasmaunterstützter Chemical Vapour Deposition (PECVD) her |
|---|---|---|
| 1972 | Pierce, Spicer | vermessen die optische Absorption von amorphem Silizium |
| LeComber, Madan, Spear | bestimmen die Ladungsträger-Beweglichkeit mittels Flugzeit - Spektroskopie (Time of Flight) | |
| 1973 | Beyer, Stuke | messen die Thermokraft |
| Engemann, Fischer | nehmen Photo-Lumineszenz-Spektren auf | |
| 1974 | Spear, Loveland, Al-Sharbaty | entdecken die Photoleitung des amorphen Siliziums |
| 1975 | Spear, LeComber | gelingt erstmalig die Dotierung von amorphem Silizium. Damit ist eine wichtige Voraussetzung gegeben, Bauelemente herzustellen. |
| 1976 | Carlson | baut die erste Solarzelle aus a-Si:H |
| Madan, LeComber | stellen den Feldeffekt fest. Er dient zur Bestimmung der Zustandsdichte und ermöglicht, Dünnfilm-Transistoren (TFT) aufzubauen. | |
| 1977 | Knights, Biegelsen, Solomon | untersuchen a-Si:H mit der Elektronenspinresonanz (ESR) |
| Staebler, Wronski | bemerken, daß a-Si:H altert. Unter anhaltender Beleuchtung werden zusätzliche Defektzustände gebildet, die z.B. den Wirkungsgrad von Solarzellen herabsetzen. Der Effekt wird nach den Entdeckern benannt (Staebler-Wronski-Effekt). | |
| 1978 | Fuhs, Milleville, Stuke | vermessen die Responsezeit des Photoleiters a-Si:H |
| 1980 | Cohen, Harbison, Bean | spektroskopieren das thermische Emissionsverhalten tiefer Störstellen (DLTS) und erhalten damit eine Methode zur Analyse der Zustandsverteilung |
| 1983 | Vanecek, Kocka, Stuchlik, Kozisek | entwickeln die Methode des konstanten Photostroms (CPM) als einfachstes Verfahren, die Zustandsdichte zu vermessen |
© M.Hoheisel